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可测参数:Ciss/Coss/Crss/Rg MOS管结电容测试
可测器件:IGBT,二极管,氮化镓、碳化硅MOSFET等
测试频率:1MHz
测试电压范围:Vds 0~1200V,Vgs ±25V
信号电压范围:1mV~1000mV
Rg范围:≤300Ω
测试精度:0.01pf
华科智源栅极电阻/栅极电容测试仪特点:
1,测试速度快。
2,可点测和扫描曲线。
3,测试精度高,测试结果稳定。
4,可随时保存数据和波形,可直接生成规格书用的图片或CSV描点文件。